MT47H64M8CF-25E:G TR

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MT47H64M8CF-25E:G TR概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 60-FBGA(8x10)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R


DeviceMart:
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 60FBGA


MT47H64M8CF-25E:G TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

MT47H64M8CF-25E:G TR引脚图与封装图
MT47H64M8CF-25E:G TR引脚图
MT47H64M8CF-25E:G TR封装图
MT47H64M8CF-25E:G TR封装焊盘图
在线购买MT47H64M8CF-25E:G TR
型号: MT47H64M8CF-25E:G TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R
替代型号MT47H64M8CF-25E:G TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H64M8CF-25E:G TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H64M8SH-25E:H

镁光

完全替代

MT47H64M8CF-25E:G TR和MT47H64M8SH-25E:H的区别

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