MT47H32M16BN-3:D TR

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MT47H32M16BN-3:D TR概述

IC SDRAM 512Mbit 333MHz 84FBGA

SDRAM - DDR2 Memory IC 512Mb 32M x 16 Parallel 333MHz 450ps 84-FBGA 10x12.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


Win Source:
IC DDR2 SDRAM 512MBIT 3NS 84FBGA


MT47H32M16BN-3:D TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 667MHz max

位数 16

存取时间 3.00 ns

内存容量 512000000 B

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 FBGA-84

外形尺寸

封装 FBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT47H32M16BN-3:D TR
型号: MT47H32M16BN-3:D TR
制造商: Micron 镁光
描述:IC SDRAM 512Mbit 333MHz 84FBGA
替代型号MT47H32M16BN-3:D TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H32M16BN-3:D TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

IS43DR16320C-3DBL

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

MT47H32M16BN-3:D TR和IS43DR16320C-3DBL的区别

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