MT41K256M4DA-107:J

MT41K256M4DA-107:J概述

DDR DRAM, 256MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, LEAD FREE, FBGA-78

SDRAM - DDR3 存储器 IC 1Gb(256M x 4) 并联 933 MHz 20 ns 78-FBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.35V 78-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.35V 78-Pin F-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.35V 78-Pin FBGA


MT41K256M4DA-107:J中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.35 V

位数 4

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 78

封装 FBGA-78

外形尺寸

高度 0.96 mm

封装 FBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT41K256M4DA-107:J
型号: MT41K256M4DA-107:J
制造商: Micron 镁光
描述:DDR DRAM, 256MX4, 0.195ns, CMOS, PBGA78, 8 X 10.5MM, LEAD FREE, FBGA-78
替代型号MT41K256M4DA-107:J
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT41K256M4DA-107:J

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT41K256M4JP-15E:G

镁光

完全替代

MT41K256M4DA-107:J和MT41K256M4JP-15E:G的区别

MT41K256M4JP-15E:G TR

镁光

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