MURTA500120参数规格_中文资料_数据手册PDF

MURTA500120概述

分立半导体模块 1200V 500A Si Super Fast Recovery

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 1200V 250A Chassis Mount Three Tower

得捷:
DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

贸泽:
分立半导体模块 1200V 500A Si Super Fast Recovery

MURTA500120中文资料参数规格

技术参数

正向电压 2.6V @250A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Chassis

封装 Three Tower Iso

外形尺寸

封装 Three Tower Iso

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MURTA500120

型号： MURTA500120

制造商： GeneSiC Semiconductor

描述：分立半导体模块 1200V 500A Si Super Fast Recovery