STMICROELECTRONICS M48Z12-150PC1 芯片, SRAM模块, 16Kb, 内含电池
ZEROPOWER® 静态 RAM,STMicroelectronics
ZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。
欧时:
### ZEROPOWER® 静态 RAM,STMicroelectronicsZEROPOWER® 非易失 RAM 产品集成了低功率 SRAM 与电源故障控制电路和长寿命锂电池。### SRAM(静态随机存取存储器)
得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PAR 24PCDIP
立创商城:
M48Z12 150PC1
艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin PCDIP Tube
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# STMICROELECTRONICS M48Z12-150PC1 NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8bit, Parallel, 150 ns, DIP
Win Source:
IC NVSRAM 16KBIT 150NS 24DIP
频率 150 GHz
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 80 mA
针脚数 24
时钟频率 150 GHz
存取时间 150 ns
内存容量 2000 B
存取时间Max 150 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Through Hole
引脚数 24
封装 DIP-24
长度 34.8 mm
宽度 18.34 mm
高度 8.89 mm
封装 DIP-24
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Communications & Networking, 通信与网络
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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M48Z12-150PC1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1220AD-150+ 美信 | 完全替代 | M48Z12-150PC1和DS1220AD-150+的区别 |
DS1220AD-150 美信 | 完全替代 | M48Z12-150PC1和DS1220AD-150的区别 |
M48Z02-150PC1 意法半导体 | 类似代替 | M48Z12-150PC1和M48Z02-150PC1的区别 |