MT47H64M16NF-187E:M

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MT47H64M16NF-187E:M概述

DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 64M x 16 Parallel 533MHz 350ps 84-FBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 1GBIT PAR 84FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 64Mx16 1.8V


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 64Mx16 1.8V 84-Pin FBGA


MT47H64M16NF-187E:M中文资料参数规格
技术参数

供电电流 185 mA

位数 16

存取时间 350 ps

存取时间Max 0.35 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 FBGA-84

外形尺寸

封装 FBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MT47H64M16NF-187E:M引脚图与封装图
MT47H64M16NF-187E:M引脚图
MT47H64M16NF-187E:M封装图
MT47H64M16NF-187E:M封装焊盘图
在线购买MT47H64M16NF-187E:M
型号: MT47H64M16NF-187E:M
制造商: Micron 镁光
描述:DDR DRAM, 64MX16, 0.35ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
替代型号MT47H64M16NF-187E:M
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H64M16NF-187E:M

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H64M16HR-187E:H

镁光

完全替代

MT47H64M16NF-187E:M和MT47H64M16HR-187E:H的区别

MT47H64M16HR-187E:H TR

镁光

完全替代

MT47H64M16NF-187E:M和MT47H64M16HR-187E:H TR的区别

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