DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54Pin VFBGA
SDRAM Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 133MHz 5.4ns 54-VFBGA 8x14
得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54VFBGA
艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA
Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA Tray
Verical:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin VFBGA
Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 133MHZ 54VFBGA
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
工作电压 3.30 V
供电电流 135 mA
时钟频率 143MHz max
位数 16
存取时间 133 µs
内存容量 256000000 B
存取时间Max 5.4 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 VFBGA-54
高度 0.65 mm
封装 VFBGA-54
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MT48LC16M16A2BG-7E:D Micron 镁光 | 当前型号 | 当前型号 |
IS42S16160D-6BLI Integrated Silicon SolutionISSI | 功能相似 | MT48LC16M16A2BG-7E:D和IS42S16160D-6BLI的区别 |
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