MR256A08BSO35R参数规格_中文资料_数据手册PDF

MR256A08BSO35R概述

NVRAM MRAM Parallel 256Kbit 3.3V 32Pin SOIC T/R

MRAM Magnetoresistive RAM Memory IC 256Kb 32K x 8 Parallel 35ns 32-SOIC

得捷:
IC RAM 256KBIT PARALLEL 32SOIC

贸泽:
NVRAM 256Kb 3.3V 35ns 32Kx8 Parallel MRAM

艾睿:
NVRAM MRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 32-Pin SOIC T/R

Verical:
NVRAM MRAM Parallel 256Kbit 3.3V 32-Pin SOIC T/R

MR256A08BSO35R中文资料参数规格

技术参数

供电电流 65 mA

存取时间 35 ns

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 SOIC-32

外形尺寸

封装 SOIC-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MR256A08BSO35R

型号： MR256A08BSO35R

制造商： Everspin Technologies

描述：NVRAM MRAM Parallel 256Kbit 3.3V 32Pin SOIC T/R

替代型号MR256A08BSO35R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MR256A08BSO35R Everspin Technologies	当前型号	当前型号
MR256A08BSO35 Everspin Technologies	完全替代	MR256A08BSO35R和MR256A08BSO35的区别
MR256A08BYS35R Everspin Technologies	类似代替	MR256A08BSO35R和MR256A08BYS35R的区别
MR256A08BCYS35R Everspin Technologies	类似代替	MR256A08BSO35R和MR256A08BCYS35R的区别