M27C801-100N1参数规格_中文资料_数据手册PDF

M27C801-100N1概述

EPROM OTP 8Mb 1M x 8 100ns 32P TSOP RHOS NO

EPROM - OTP Memory IC 8Mb 1M x 8 Parallel 100ns 32-TSOP

得捷:
IC EPROM 8MBIT PARALLEL 32TSOP

艾睿:
EPROM OTP 8M-Bit 1M x 8 100ns 32-Pin TSOP

Chip1Stop:
EPROM OTP 8M-bit 1M x 8 100ns 32-Pin TSOP

M27C801-100N1中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max

工作电压 5.00 V

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 8000000 B

存取时间Max 100 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 32

封装 TSOP-32

外形尺寸

高度 1.05 mm

封装 TSOP-32

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买M27C801-100N1

型号： M27C801-100N1

描述：EPROM OTP 8Mb 1M x 8 100ns 32P TSOP RHOS NO

替代型号M27C801-100N1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M27C801-100N1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
SST49LF008A-33-4C-WHE 微芯	功能相似	M27C801-100N1和SST49LF008A-33-4C-WHE的区别
SST49LF080A-33-4C-WHE 微芯	功能相似	M27C801-100N1和SST49LF080A-33-4C-WHE的区别
AT27C080-90TU 爱特美尔	功能相似	M27C801-100N1和AT27C080-90TU的区别