MT41K512M8RH-125:E TR

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MT41K512M8RH-125:E TR概述

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 13.75ns 78-FBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin FBGA T/R


Win Source:
IC DDR3 SDRAM 4GBIT 800MHZ FBGA


MT41K512M8RH-125:E TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

引脚数 78

封装 FBGA-78

外形尺寸

封装 FBGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

MT41K512M8RH-125:E TR引脚图与封装图
MT41K512M8RH-125:E TR引脚图
MT41K512M8RH-125:E TR封装图
MT41K512M8RH-125:E TR封装焊盘图
在线购买MT41K512M8RH-125:E TR
型号: MT41K512M8RH-125:E TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78Pin FBGA T/R
替代型号MT41K512M8RH-125:E TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT41K512M8RH-125:E TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT41K512M8DA-107:P

镁光

完全替代

MT41K512M8RH-125:E TR和MT41K512M8DA-107:P的区别

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