MAS3795EGL

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•超高速开关•因为其反向恢复时间短（TRR）所以适用于高频率整流•低正向电压VF和良好的整流电压VF= < 0.3 V（IF= 1 mA•SSS迷你型3引脚封装•共阴极肖特..

反向电压VrReverse Voltage| 30V

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平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 20mA

最大正向压降VFForward VoltageVf | 1V

最大耗散功率PdPower dissipation|

Description & Applications| •Schottky Barrier Diodes SBD •Silicon epitaxial planar type •For high-speed switching circuits •Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr •Low forward voltage VF optimum for low voltage rectification VF= < 0.3 V at IF= 1 mA •SSS-Mini type 3-pin package •Common cathode Schottky Barrier diode

描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •超高速开关 •因为其反向恢复时间短（TRR）所以适用于高频率整流 •低正向电压VF和良好的整流电压VF= < 0.3 V（IF= 1 mA •SSS迷你型3引脚封装 •共阴极肖特基二极管