MX29GL512FHXFI-11G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MX29GL512FHXFI-11G概述

MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行闪存存储器 - FBGA-56

FLASH - NOR 存储器 IC 512Mb（64M x 8）并联 110 ns 64-LFBGA，CSP（11x13）

得捷:
IC FLSH 512MBIT PARALLEL 64LFBGA

艾睿:
NOR Flash Parallel 3V/3.3V 512M-bit 64M x 8/32M x 16 110ns 64-Pin LFBGA

富昌:
MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行闪存存储器 - FBGA-56

MX29GL512FHXFI-11G中文资料参数规格

技术参数

位数 8, 16

存取时间Max 110 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 64

封装 LFBGA-64

外形尺寸

封装 LFBGA-64

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MX29GL512FHXFI-11G

型号： MX29GL512FHXFI-11G

制造商： Macronix International 旺宏电子

描述：MX29GL512 系列 512 Mb 64 M X 8 3 V 100 ns 并行闪存存储器 - FBGA-56

替代型号MX29GL512FHXFI-11G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MX29GL512FHXFI-11G Macronix International 旺宏电子	当前型号	当前型号
MX29GL512ELXFI-10Q 旺宏电子	类似代替	MX29GL512FHXFI-11G和MX29GL512ELXFI-10Q的区别
S29GL512N11FFI020 赛普拉斯	类似代替	MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N11FFI020的区别
S29GL512N10FAI010 飞索半导体	功能相似	MX29GL512FHXFI-11G和S29GL512N10FAI010的区别