MT47H32M16BN-5E:D TR

MT47H32M16BN-5E:D TR图片1
MT47H32M16BN-5E:D TR图片2
MT47H32M16BN-5E:D TR概述

IC SDRAM 512Mbit 200MHz 84FBGA

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(32M x 16) 并联 200 MHz 600 ps 84-FBGA(10x12.5)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 84-Pin FBGA T/R


Win Source:
IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 84FBGA


MT47H32M16BN-5E:D TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 1.80 V, 1.90 V max

时钟频率 400MHz max

位数 16

存取时间Max 0.6 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 FBGA-84

外形尺寸

封装 FBGA-84

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT47H32M16BN-5E:D TR
型号: MT47H32M16BN-5E:D TR
制造商: Micron 镁光
描述:IC SDRAM 512Mbit 200MHz 84FBGA

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台