MT46V64M8CY-5B L:J

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MT46V64M8CY-5B L:J概述

DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60Pin FBGA

SDRAM - DDR Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA


安富利:
DRAM Chip DDR SDRAM 512M-Bit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60-Pin FBGA


MT46V64M8CY-5B L:J中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 700 ps

存取时间Max 0.7 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 2.5V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买MT46V64M8CY-5B L:J
型号: MT46V64M8CY-5B L:J
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 64Mx8 2.6V 60Pin FBGA
替代型号MT46V64M8CY-5B L:J
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT46V64M8CY-5B L:J

Micron 镁光

当前型号

当前型号

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镁光

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