MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR

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MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin VFBGA T/R

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 125MHz 7ns 54-VFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54VFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin VFBGA T/R


MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max

时钟频率 125MHz max

位数 16

存取时间 125 µs

内存容量 128000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 VFBGA-54

外形尺寸

封装 VFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR
型号: MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin VFBGA T/R

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