DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90Pin VFBGA Tray
SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 125MHz 7ns 90-VFBGA 8x13
得捷: IC DRAM 256MBIT PAR 90VFBGA
艾睿: DRAM Chip Mobile SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin VFBGA Tray
电源电压DC 2.50 V, 2.70 V max
工作电压 2.50 V
时钟频率 125MHz max
位数 32
存取时间 125 µs
内存容量 256000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.3V ~ 2.7V
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 VFBGA-90
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
数据手册