MBD54DWT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBD54DWT1概述

双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

阵列

得捷:
DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363

艾睿:
Diode RF Schottky 30V 150mW 6-Pin SC-88 T/R

Chip1Stop:
Diode Schottky 30V 0.2A 6-Pin SC-88 T/R

MBD54DWT1中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 A

电容 10.0 pF

正向电压 1V @100mA

反向恢复时间 5 ns

正向电压Max 1V @100mA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

工作结温 125℃ Max

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MBD54DWT1

型号： MBD54DWT1

描述：双肖特基势垒二极管 Dual Schottky Barrier Diodes

替代型号MBD54DWT1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MBD54DWT1 ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MBD54DWT1G 安森美	类似代替	MBD54DWT1和MBD54DWT1G的区别

型号/品牌

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MBD54DWT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

MBD54DWT1G

安森美

类似代替