MR25H40CDFR

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MR25H40CDFR概述

磁阻随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI

MRAM(磁阻式 RAM) 存储器 IC 4Mb(512K x 8) SPI 40 MHz 8-DFN-EP,小标志(5x6)


得捷:
IC RAM 4MBIT SPI 40MHZ 8DFN


贸泽:
磁阻随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI


艾睿:
MRAM 4Mbit Serial-SPI Interface 3.3V 8-Pin DFN EP T/R


MR25H40CDFR中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 0.6 W

存取时间 25 ns

存取时间Max 9 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR25H40CDFR
型号: MR25H40CDFR
制造商: Everspin Technologies
描述:磁阻随机存取存储器 MRAM 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI

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