MR0A16AMYS35参数规格_中文资料_数据手册PDF

MR0A16AMYS35概述

NVRAM 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM

MRAM Magnetoresistive RAM Memory IC 1Mb 64K x 16 Parallel 35ns 44-TSOP2

得捷:
IC RAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP2

贸泽:
NVRAM 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM

艾睿:
NVRAM MRAM Parallel 1Mbit 3.3V Automotive 44-Pin TSOP-II Tray

MR0A16AMYS35中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 0.6 W

存取时间 35 ns

存取时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR0A16AMYS35

型号： MR0A16AMYS35

制造商： Everspin Technologies

描述：NVRAM 1Mb 3.3V 64K x 16 35ns Parallel MRAM