MT47H256M8EB-25E:C TR

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MT47H256M8EB-25E:C TR概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 Memory IC 2Gb 256M x 8 Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA 9x11.5


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA


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MT47H256M8EB 25E:C TR


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA T/R


MT47H256M8EB-25E:C TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

数据手册

在线购买MT47H256M8EB-25E:C TR
型号: MT47H256M8EB-25E:C TR
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA T/R
替代型号MT47H256M8EB-25E:C TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H256M8EB-25E:C TR

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H256M8EB-25E:C

镁光

完全替代

MT47H256M8EB-25E:C TR和MT47H256M8EB-25E:C的区别

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