MT47H256M8EB-25E IT:C

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MT47H256M8EB-25E IT:C概述

DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA Tray

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(256M x 8) 并联 60-FBGA(9x11.5)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60-Pin FBGA Tray


MT47H256M8EB-25E IT:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

供电电流 130 mA

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MT47H256M8EB-25E IT:C引脚图与封装图
MT47H256M8EB-25E IT:C引脚图
MT47H256M8EB-25E IT:C封装图
MT47H256M8EB-25E IT:C封装焊盘图
在线购买MT47H256M8EB-25E IT:C
型号: MT47H256M8EB-25E IT:C
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 256Mx8 1.8V 60Pin FBGA Tray
替代型号MT47H256M8EB-25E IT:C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H256M8EB-25E IT:C

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H256M8EB-25E IT:C TR

镁光

完全替代

MT47H256M8EB-25E IT:C和MT47H256M8EB-25E IT:C TR的区别

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