M36DR432AD10ZA6T参数规格_中文资料_数据手册PDF

M36DR432AD10ZA6T概述

32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

闪存存储器 IC 32Mb（2M x 16）并联 100 ns 66-LFBGA（12x8）

得捷:
IC FLASH 32MBIT PARALLEL 66LFBGA

艾睿:
MCP 2Mx16 Flash + 256Kx16 SRAM 1.8V 66-Pin LFBGA T/R

Chip1Stop:
Combo Mem 2Mx16 Flash + 256Kx16 SRAM 1.8V 66-Pin LFBGA T/R

Win Source:
32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

M36DR432AD10ZA6T中文资料参数规格

技术参数

存取时间 100 ns

内存容量 32000000 B

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.65V ~ 2.2V

封装参数

引脚数 66

封装 LFBGA-66

外形尺寸

高度 1.1 mm

封装 LFBGA-66

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买M36DR432AD10ZA6T

型号： M36DR432AD10ZA6T

描述：32兆位的2Mb X16 ，双行，页闪存和4兆位256Kb的SRAM X16 ，多重内存产品 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product

替代型号M36DR432AD10ZA6T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M36DR432AD10ZA6T ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
M36DR432AD10ZA6 意法半导体	功能相似	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432AD10ZA6的区别
M36DR432A100ZA6C Numonyx	功能相似	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432A100ZA6C的区别
M36DR432A100ZA6T Numonyx	功能相似	M36DR432AD10ZA6T和M36DR432A100ZA6T的区别