MT49H32M9BM-33:B

MT49H32M9BM-33:B概述

DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 32Mx9 1.8V 144Pin MBGA Tray

DRAM 存储器 IC 288Mb(32M x 9) 并联 144-µBGA(18.5x11)


得捷:
IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA


艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 32Mx9 1.8V 144-Pin MBGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 32Mx9 1.8V 144-Pin MBGA Tray


MT49H32M9BM-33:B中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

位数 9

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 TFBGA-144

外形尺寸

封装 TFBGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MT49H32M9BM-33:B
型号: MT49H32M9BM-33:B
制造商: Micron 镁光
描述:DRAM Chip RLDRAM 288Mbit 32Mx9 1.8V 144Pin MBGA Tray

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