




DRAM Chip SDRAM 512Mbit 64Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II T/R
SDRAM Memory IC 512Mb 64M x 8 Parallel 133MHz 5.4ns 54-TSOP II
得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R
安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R
Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 64Mx8 3.3V 54-Pin TSOP-II T/R
电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
供电电流 115 mA
时钟频率 133MHz max
位数 8
存取时间 133 µs
内存容量 512000000 B
存取时间Max 6ns, 5.4ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 54
封装 TSOP-54
高度 1 mm
封装 TSOP-54
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead


