MT46H256M32L4SA-48 WT:C参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT46H256M32L4SA-48 WT:C概述

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin FBGA

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 8Gb 256M x 32 Parallel 208MHz 5ns 168-TFBGA 12x12

艾睿:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168-Pin FBGA

安富利:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8G-Bit 256M x 32 1.8V 168 -Pin WFBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168-Pin FBGA

MT46H256M32L4SA-48 WT:C中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.0 ns

存取时间Max 4.8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -25 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 BGA-168

外形尺寸

封装 BGA-168

物理参数

工作温度 -25℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MT46H256M32L4SA-48 WT:C

型号： MT46H256M32L4SA-48 WT:C

描述：DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.8V 168Pin FBGA

替代型号MT46H256M32L4SA-48 WT:C

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT46H256M32L4SA-48 WT:C Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR 镁光	类似代替	MT46H256M32L4SA-48 WT:C和MT46H256M32L4JV-5 WT:B TR的区别
MT46H256M32L4JV-6 WT:B 镁光	类似代替	MT46H256M32L4SA-48 WT:C和MT46H256M32L4JV-6 WT:B的区别
MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR 镁光	类似代替	MT46H256M32L4SA-48 WT:C和MT46H256M32L4JV-6 WT:B TR的区别