MT47H512M4EB-25E:C

MT47H512M4EB-25E:C概述

DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 2Gb(512M x 4) 并联 60-FBGA(9x11.5)


得捷:
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 512Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 512Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 2Gbit 512Mx4 1.8V 60-Pin FBGA Tray


MT47H512M4EB-25E:C中文资料参数规格
技术参数

工作电压 1.80 V

位数 4

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT47H512M4EB-25E:C引脚图与封装图
MT47H512M4EB-25E:C引脚图
MT47H512M4EB-25E:C封装图
MT47H512M4EB-25E:C封装焊盘图
在线购买MT47H512M4EB-25E:C
型号: MT47H512M4EB-25E:C
制造商: Micron 镁光
描述:DDR DRAM, 512MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 9 X 11.5MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
替代型号MT47H512M4EB-25E:C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MT47H512M4EB-25E:C

Micron 镁光

当前型号

当前型号

MT47H512M4EB-3:C

镁光

完全替代

MT47H512M4EB-25E:C和MT47H512M4EB-3:C的区别

MT47H512M4EB-187E:C

镁光

完全替代

MT47H512M4EB-25E:C和MT47H512M4EB-187E:C的区别

MT47H512M4HG-5E:A

镁光

类似代替

MT47H512M4EB-25E:C和MT47H512M4HG-5E:A的区别

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