MT49H32M18BM-25:B参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT49H32M18BM-25:B概述

DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144Pin MBGA Tray

DRAM 存储器 IC 576Mb（32M x 18）并联 144-µBGA（18.5x11）

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144-Pin MBGA Tray

Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM 576M-Bit 32Mx18 1.8V 144-Pin MBGA Tray

Win Source:
IC DRAM 576M PARALLEL 144UBGA

MT49H32M18BM-25:B中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.80 V

位数 18

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 144

封装 BGA-144

外形尺寸

封装 BGA-144

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT49H32M18BM-25:B引脚图与封装图

在线购买MT49H32M18BM-25:B

型号： MT49H32M18BM-25:B

描述：DRAM Chip RLDRAM 576Mbit 32Mx18 1.8V 144Pin MBGA Tray

替代型号MT49H32M18BM-25:B