MT44K32M18RB-107E:A参数规格_中文资料_数据手册PDF

MT44K32M18RB-107E:A概述

DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168Pin FBGA

DRAM Memory IC 576Mb 32M x 18 Parallel 933MHz 8ns 168-BGA 13.5x13.5

得捷:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA

Chip1Stop:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin FBGA

MT44K32M18RB-107E:A中文资料参数规格

技术参数

工作电压 1.35 V

位数 18

存取时间 8 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 BGA-168

外形尺寸

封装 BGA-168

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT44K32M18RB-107E:A引脚图与封装图

在线购买MT44K32M18RB-107E:A

型号： MT44K32M18RB-107E:A

描述：DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168Pin FBGA

替代型号MT44K32M18RB-107E:A

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MT44K32M18RB-107E:A Micron 镁光	当前型号	当前型号
MT44K32M18RB-107:A 镁光	类似代替	MT44K32M18RB-107E:A和MT44K32M18RB-107:A的区别

型号/品牌

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MT44K32M18RB-107E:A

Micron 镁光

当前型号

MT44K32M18RB-107:A

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