MT8VDDT6464HDY-40BJ1

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MT8VDDT6464HDY-40BJ1概述

MODULE DDR SDRAM 512Mb 200SODIMM

存储器 - 模块 DDR SDRAM 512MB 400MT/s 200-SODIMM


得捷:
MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM


艾睿:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray


安富利:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray


Chip1Stop:
DRAM Module DDR SDRAM 512Mbyte 200SODIMM Tray


MT8VDDT6464HDY-40BJ1中文资料参数规格
技术参数

存取时间 900 ns

存取时间Max 900 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

封装参数

引脚数 200

封装 SODIMM-200

外形尺寸

封装 SODIMM-200

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MT8VDDT6464HDY-40BJ1引脚图与封装图
MT8VDDT6464HDY-40BJ1引脚图
MT8VDDT6464HDY-40BJ1封装图
MT8VDDT6464HDY-40BJ1封装焊盘图
在线购买MT8VDDT6464HDY-40BJ1
型号: MT8VDDT6464HDY-40BJ1
制造商: Micron 镁光
描述:MODULE DDR SDRAM 512Mb 200SODIMM

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