5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 4Mb（512K x 8） 并联 70 ns 32-PMDIP 模块
得捷:
IC NVSRAM 4MBIT PARALLEL 32PMDIP
贸泽:
NVRAM 4M 512Kx8 70ns
艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 4Mbit 5V 32-Pin PMDIP Tube
Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin PMDIP Tube
Verical:
NVRAM NVSRAM Parallel 4M-Bit 5V 32-Pin PMDIP Tube
力源芯城:
5V,4M位,ZEROPOWER SRAM,内嵌电池
Win Source:
IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32DIP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 115 mA
负载电容 100 pF
时钟频率 70.0 GHz
耗散功率 1.00 W
存取时间 70 ns
内存容量 500000 B
存取时间Max 70 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.18 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.52 mm
封装 DIP-32
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 PB free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
M48Z512AY-70PM1 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
DS1250Y-70+ 美信 | 类似代替 | M48Z512AY-70PM1和DS1250Y-70+的区别 |
M48Z512A-70PM1 意法半导体 | 类似代替 | M48Z512AY-70PM1和M48Z512A-70PM1的区别 |
DS1250Y-70IND+ 美信 | 功能相似 | M48Z512AY-70PM1和DS1250Y-70IND+的区别 |