MRF1535NT1

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MRF1535NT1概述

NXP  MRF1535NT1  场效应管, MOSFET, 射频, N沟道, 40V, TO-272

* Specified Performance @ 520 MHz, 12.5 Volts Output Power: 35 Watts Power Gain: 13.5 dB Efficiency: 55% * Capable of Handling 20:1 VSWR, @ 15.6 Vdc, 520 MHz, 2 dB Overdrive * Excellent Thermal Stability * Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters * Broadband–Full Power Across the Band: 135–175 MHz 400–470 MHz 450–520 MHz * 200°C Capable Plastic Package * N Suffix Indicates Lead-Free Terminations. RoHS Compliant. * In Tape and Reel. T1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

MRF1535NT1中文资料参数规格
技术参数

频率 520 MHz

额定电流 6 A

无卤素状态 Halogen Free

针脚数 6

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 60.0V min

输出功率 35 W

增益 13.5 dB

测试电流 500 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 135000 mW

额定电压 40 V

封装参数

安装方式 Flange

引脚数 6

封装 TO-272-6

外形尺寸

封装 TO-272-6

物理参数

重量 1279.25 mg

工作温度 -65℃ ~ 200℃

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 商业, 工业, 射频通信, 通信与网络

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MRF1535NT1
型号: MRF1535NT1
制造商: NXP 恩智浦
描述:NXP  MRF1535NT1  场效应管, MOSFET, 射频, N沟道, 40V, TO-272
替代型号MRF1535NT1
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