M48Z2M1V-85PL1参数规格_中文资料_数据手册PDF

M48Z2M1V-85PL1概述

5 V或3.3 V ， 16兆位（ Mb的2 ×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5 V or 3.3 V, 16 Mbit 2 Mb x 8 ZEROPOWER? SRAM

NVSRAM（非易失性 SRAM）存储器 IC 16Mb（2M x 8）并联 36-PLDIP 模块

得捷:
IC NVSRAM 16MBIT PAR 36PLDIP

贸泽:
NVRAM 16M 2Mx8 85ns

艾睿:
NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 3.3V 36-Pin PLDIP Tube

Chip1Stop:
NVRAM NVSRAM Parallel 16Mbit 3.3V 36-Pin PLDIP Tube

M48Z2M1V-85PL1中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 85.0 GHz

存取时间 85 ns

内存容量 16000000 B

存取时间Max 85 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 36

封装 DIP-36

外形尺寸

长度 53.34 mm

宽度 18.8 mm

高度 9.52 mm

封装 DIP-36

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买M48Z2M1V-85PL1

型号： M48Z2M1V-85PL1

描述：5 V或3.3 V ， 16兆位（ Mb的2 ×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5 V or 3.3 V, 16 Mbit 2 Mb x 8 ZEROPOWER? SRAM

替代型号M48Z2M1V-85PL1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
M48Z2M1V-85PL1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
M48Z2M1Y-70PL1 意法半导体	类似代替	M48Z2M1V-85PL1和M48Z2M1Y-70PL1的区别
DS1270Y-70# 美信	功能相似	M48Z2M1V-85PL1和DS1270Y-70#的区别
DS1270Y-70IND# 美信	功能相似	M48Z2M1V-85PL1和DS1270Y-70IND#的区别