MC74HC1G08DFT1

MC74HC1G08DFT1图片1
MC74HC1G08DFT1图片2
MC74HC1G08DFT1图片3
MC74HC1G08DFT1图片4
MC74HC1G08DFT1图片5
MC74HC1G08DFT1图片6
MC74HC1G08DFT1图片7
MC74HC1G08DFT1概述

IC 与门 MC74HC1G08DFT1 SOT-353/SC-88A/SC70-5 marking/标记 H22

逻辑类型Logic Type| 与门 AND Gate \---|--- 电路数Number of Circuits| 1 输入数Number of Inputs| 2 电源电压VccVoltage - Supply| 2V~6V 静态电流IqCurrent - Quiescent Max| 1uA 输出高,低电平电流Current - Output High, Low| -2.6mA,2.6mA 低逻辑电平Logic Level - Low| 0.5V~1.8V 高逻辑电平Logic Level - High| 1.5V~4.2V 传播延迟时间@Vcc,CLMax Propagation Delay @ V, Max CL| 8ns @ 4.5V,50pF Description & Applications| Single 2-input AND gate;Features High Speed: tPD = 7 ns Typ @ VCC = 5 V Low Power Dissipation: ICC = 1 uA Max at TA = 25°C High Noise Immunity Balanced Propagation Delays tpLH = tpHL Symmetrical Output Impedance IOH = IOL = 2 mA Chip Complexity: FET = 44 Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 单路双输入与门;特性 高速:TPD =7纳秒(典型值)@ VCC = 5 V 低功耗:ICC=1 UA TA= 25°C(最大值) 高抗噪声能力 平衡传输延迟(TPLH TPHL) 对称的输出阻抗(IOH= IOL= 2毫安) 芯片的复杂性:FET=44 提供无铅封装

MC74HC1G08DFT1中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 6.00V max

电路数 1

耗散功率 190 mW

逻辑门个数 1

输入数 2

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

电源电压 2V ~ 6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SC-70-5

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SC-70-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC74HC1G08DFT1引脚图与封装图
MC74HC1G08DFT1引脚图
MC74HC1G08DFT1封装图
MC74HC1G08DFT1封装焊盘图
在线购买MC74HC1G08DFT1
型号: MC74HC1G08DFT1
描述:IC 与门 MC74HC1G08DFT1 SOT-353/SC-88A/SC70-5 marking/标记 H22
替代型号MC74HC1G08DFT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC74HC1G08DFT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MC74HC1G08DFT1G

安森美

类似代替

MC74HC1G08DFT1和MC74HC1G08DFT1G的区别

MC74HC1G08DFT2G

安森美

类似代替

MC74HC1G08DFT1和MC74HC1G08DFT2G的区别

74HC1G08GW,125

安世

功能相似

MC74HC1G08DFT1和74HC1G08GW,125的区别

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司