MC100EL05DR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MC100EL05DR2G概述

5V ECL 2输入差分AND / NAND 5V ECL 2-Input Differential AND/NAND

与/与非门可配置 1 电路 4 输入（2，2）输入 8-SOIC

得捷:
AND/NAND GATE

艾睿:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

Chip1Stop:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

MC100EL05DR2G中文资料参数规格

技术参数

电路数 1

静态电流 18.0 mA

逻辑门个数 1

输入数 4

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.2V ~ 5.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC100EL05DR2G引脚图与封装图

在线购买MC100EL05DR2G

型号： MC100EL05DR2G

描述：5V ECL 2输入差分AND / NAND 5V ECL 2-Input Differential AND/NAND

替代型号MC100EL05DR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MC100EL05DR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MC100EL05DG 安森美	完全替代	MC100EL05DR2G和MC100EL05DG的区别
MC100EL05D 安森美	完全替代	MC100EL05DR2G和MC100EL05D的区别
MC100LVEL05DR2 安森美	完全替代	MC100EL05DR2G和MC100LVEL05DR2的区别