MC10EP05DR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MC10EP05DR2G概述

3.3V / 5V ECL 2输入差分AND / NAND 3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND

与/与非门可配置电路 2 输入（1，1）输入 8-SOIC

得捷:
IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC

艾睿:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

Chip1Stop:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

Verical:
AND/NAND Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

MC10EP05DR2G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

输出接口数 2

电路数 1

静态电流 24.0 mA

逻辑门个数 1

输入数 2

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC10EP05DR2G引脚图与封装图

在线购买MC10EP05DR2G

型号： MC10EP05DR2G

描述：3.3V / 5V ECL 2输入差分AND / NAND 3.3V / 5V ECL 2−Input Differential AND/NAND

替代型号MC10EP05DR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MC10EP05DR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MC10EP05DG 安森美	完全替代	MC10EP05DR2G和MC10EP05DG的区别
MC10EP05DR2 安森美	完全替代	MC10EP05DR2G和MC10EP05DR2的区别
MC10EP05D 安森美	完全替代	MC10EP05DR2G和MC10EP05D的区别