MC100EP01DR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MC100EP01DR2G概述

3.3V / 5V ECL 4输入或/或非 3.3V / 5V ECL 4−Input OR/NOR

或非门/或门可配置 1 电路 4 输入 8-SOIC

得捷:
IC GATE OR/NOR ECL 4INPUT 8-SOIC

贸泽:
逻辑门 3.3V/5V ECL 4-Input OR/NOR

艾睿:
OR/NOR Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

Chip1Stop:
OR/NOR Gate 1-Element 4-IN ECL 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
IC GATE OR/NOR ECL 4INPUT 8-SOIC

MC100EP01DR2G中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 50.0 mA

电路数 1

静态电流 26.0 mA

逻辑门个数 1

输入数 4

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 5.5V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC100EP01DR2G引脚图与封装图

在线购买MC100EP01DR2G

型号： MC100EP01DR2G

描述：3.3V / 5V ECL 4输入或/或非 3.3V / 5V ECL 4−Input OR/NOR

替代型号MC100EP01DR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MC100EP01DR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MC10EP01DG 安森美	完全替代	MC100EP01DR2G和MC10EP01DG的区别
MC100EP01D 安森美	完全替代	MC100EP01DR2G和MC100EP01D的区别
MC100EP01DR2 安森美	完全替代	MC100EP01DR2G和MC100EP01DR2的区别