MLG0603S9N1JT

MLG0603S9N1JT中文资料参数规格
技术参数

电感 9.1 nH

自谐频率 4.9 GHz

测试频率 100 MHz

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min 55 ℃

电阻DC Max 800 mΩ

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 0603

封装 0201

外形尺寸

长度 0.6 mm

宽度 0.3 mm

高度 0.3 mm

封装公制 0603

封装 0201

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买MLG0603S9N1JT
型号: MLG0603S9N1JT
制造商: TDK 东电化
描述:Inductor High Frequency Chip Multi-Layer 9.1nH 5% 100MHz 5Q-Factor Ceramic 200mA 800mOhm DCR 0201 T/R
替代型号MLG0603S9N1JT
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MLG0603S9N1JT

TDK 东电化

当前型号

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东电化

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