MC10EP52DR2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MC10EP52DR2G概述

3.3V / 5V ECL差分数据和时钟D触发器 3.3V / 5V ECL Differential Data and Clock D Flip−Flop

Flip Flop 1 Element D-Type 1 Bit Positive, Negative 8-SOIC 0.154", 3.90mm Width

得捷:
IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 8SOIC

艾睿:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R

安富利:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R

Chip1Stop:
Flip Flop D-Master-Slave Type Pos-Edge/Neg-Edge 1-Element 8-Pin SOIC N T/R

MC10EP52DR2G中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 5.50V max

无卤素状态 Halogen Free

时钟频率 3 GHz

位数 1

极性 Non-Inverting, Inverting

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MC10EP52DR2G

型号： MC10EP52DR2G

描述：3.3V / 5V ECL差分数据和时钟D触发器 3.3V / 5V ECL Differential Data and Clock D Flip−Flop

替代型号MC10EP52DR2G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MC10EP52DR2G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MC100EP51DTR2G 安森美	完全替代	MC10EP52DR2G和MC100EP51DTR2G的区别
MC10EP52DR2 安森美	完全替代	MC10EP52DR2G和MC10EP52DR2的区别
MC10EL31DG 安森美	类似代替	MC10EP52DR2G和MC10EL31DG的区别