MUR8100E参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

MUR8100E图片1

MUR8100E图片2

MUR8100E图片3

MUR8100E图片4

MUR8100E中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.00 kV

额定电流 8.00 A

电容 30.0 pF

输出电流 ≤8.00 A

正向电压 1.8V @8A

极性 Standard

反向恢复时间 100 ns

正向电流 8 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-2

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-220-2

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买MUR8100E

型号： MUR8100E

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：8A ， 1000V超快二极管 8A, 1000V Ultrafast Diodes

替代型号MUR8100E

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

MUR8100E

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

MUR8100EG

安森美

功能相似

MUR8100E和MUR8100EG的区别

STTH810D

意法半导体

功能相似

MUR8100E和STTH810D的区别