MA3XD1100L

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•高频整流•低正向上升电压VF

反向电压VrReverse Voltage| 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 450mV/0.45V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For high-frequency rectification • Sealed in the Mini type 3-pin package • Allowing to rectify under IFAV = 1 A condition • Low forward rise voltage VF 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •高频整流 •低正向上升电压VF