MA3ZD1200L

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•高速开关•（平均）正向电流IF（AV）= 700ma•低正向电压VF <0.45 V

反向电压VrReverse Voltage| 20V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 700mA/0.7A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 450mV/0.45V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For high speed switching • Forward current Average IFAV = 700 mA rectification is possible • Low forward voltage: VF < 0.45 V • High-density mounting is possible 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •高速开关 •（平均）正向电流IF（AV）= 700ma •低正向电压VF <0.45 V