•肖特基势垒二极管(SBD)•硅外延平面型•超高速开关•IF(AV)=200毫安整改是可能的。•低正向电压VF <0.47 V(在IF= 200毫安)
反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 470mV/0.47V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • IFAV = 200 mA rectification is possible. • Low forward voltage: VF < 0.47 V at IF = 200 mA 描述与应用| •肖特基势垒(SBD) •硅外延平面型 •超高速开关 •IF(AV)=200毫安整改是可能的。 •低正向电压VF <0.47 V(在IF= 200毫安)