MA2SD320GL

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•超高速开关•IF（AV）=200毫安整改是可能的。•小反向电流IR<5μA（在VR =30 V）

反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 200mA/0.2A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 560mV/0.56V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • IFAV = 200 mA rectification is possible. • Small reverse current: IR < 5 μA at VR = 30 V 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •超高速开关 •IF（AV）=200毫安整改是可能的。 •小反向电流IR<5μA（在VR =30 V）