MA2SD300GL

•肖特基势垒二极管（SBD）•硅外延平面型•超高速开关•小反向电流IR<2μA（在VR =30 V）•高频整流，快速反向恢复

反向电压VrReverse Voltage| 30V \---|--- 平均整流电流IoAVerage Rectified Current| 100mA/0.1A 最大正向压降VFForward VoltageVf | 580mV/0.58V 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| • Schottky Barrier Diodes SBD • Silicon epitaxial planar type • For super high speed switching • Small reverse current: IR < 2 μA at VR = 30 V • Optimum for high frequency rectification because of its short reverse recovery time trr . 描述与应用| •肖特基势垒（SBD） •硅外延平面型 •超高速开关 •小反向电流IR<2μA（在VR =30 V） •高频整流，快速反向恢复