MBRD835L-T-F

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MBRD835L-T-F中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 35.0 V

额定电流 8.00 A

电容 600 pF

输出电流 ≤8.00 A

正向电压 510mV @8A

极性 Standard

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT, Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MBRD835L-T-F
型号: MBRD835L-T-F
制造商: Vishay Semiconductor 威世
描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A DPAK
替代型号MBRD835L-T-F
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