MPQ8039GN-AEC1

MPQ8039GN-AEC1图片1
MPQ8039GN-AEC1图片2
MPQ8039GN-AEC1图片3
MPQ8039GN-AEC1概述

门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd

Half Bridge Driver General Purpose Power MOSFET 8-SOIC-EP


得捷:
IC HALF-BRIDGE PWM 8-SOIC


贸泽:
门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd


MPQ8039GN-AEC1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2.5 W

上升时间 20 ns

下降时间 20 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 7.5V ~ 24V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 通用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MPQ8039GN-AEC1
型号: MPQ8039GN-AEC1
制造商: Monolithic Power Systems 美国芯源系统
描述:门驱动器 HighCurr Power Half Brdg AEC-Q100Qualifd
替代型号MPQ8039GN-AEC1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MPQ8039GN-AEC1

Monolithic Power Systems 美国芯源系统

当前型号

当前型号

MPQ8039GN-AEC1-Z

美国芯源系统

完全替代

MPQ8039GN-AEC1和MPQ8039GN-AEC1-Z的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台