MCP14E5-E/SL

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MCP14E5-E/SL概述

低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 16-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOIC


立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A


艾睿:
4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable


Chip1Stop:
4.0A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers With Enable


MCP14E5-E/SL中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 15ns, 18ns

输出电流Max 4.5 A

电源电压 4.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-16

外形尺寸

封装 SOIC-16

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MCP14E5-E/SL
型号: MCP14E5-E/SL
制造商: Microchip 微芯
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:4A 拉:4A

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