MAX5062CASA+T参数规格_中文资料_数据手册PDF

MAX5062CASA+T概述

MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC-EP

得捷:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

安富利:
MOSFET DRVR 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC EP T/R

Chip1Stop:
Driver 2A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv Automotive 8-Pin SOIC EP T/R

MAX5062CASA+T中文资料参数规格

技术参数

电源电压DC 12.6V max

上升/下降时间 65 ns

输出接口数 2

耗散功率 1538.5 mW

下降时间Max 65 ns

上升时间Max 65 ns

耗散功率Max 1538.5 mW

电源电压 8V ~ 12.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MAX5062CASA+T引脚图与封装图

在线购买MAX5062CASA+T

型号： MAX5062CASA+T

描述：MOSFET DRVR 2A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8Pin SOIC EP T/R

替代型号MAX5062CASA+T

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MAX5062CASA+T Maxim Integrated 美信	当前型号	当前型号
MAX5062CASA+ 美信	完全替代	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA+的区别
MAX5062CASA 美信	完全替代	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA的区别
MAX5062CASA-T 美信	完全替代	MAX5062CASA+T和MAX5062CASA-T的区别