MC34151DR2

MC34151DR2图片1
MC34151DR2图片2
MC34151DR2图片3
MC34151DR2图片4
MC34151DR2图片5
MC34151DR2概述

高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers

Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


贸泽:
门驱动器 1.5A High Speed Dual


MC34151DR2中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 18.0V max

上升/下降时间 31ns, 32ns

输出接口数 2

耗散功率 560 mW

上升时间 31 ns

下降时间 32 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 6.5V ~ 18V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 0℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

MC34151DR2引脚图与封装图
MC34151DR2引脚图
MC34151DR2封装图
MC34151DR2封装焊盘图
在线购买MC34151DR2
型号: MC34151DR2
描述:高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers
替代型号MC34151DR2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC34151DR2

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MC33152DR2G

安森美

类似代替

MC34151DR2和MC33152DR2G的区别

MC34151DR2G

安森美

类似代替

MC34151DR2和MC34151DR2G的区别

TC4426EOA

微芯

功能相似

MC34151DR2和TC4426EOA的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台