MC33151DR2

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MC33151DR2概述

高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers

低端 栅极驱动器 IC 反相 8-SOIC


得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC


贸泽:
Gate Drivers 1.5A High Speed Dual


艾睿:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R


Chip1Stop:
Driver 1.5A 2-OUT High Speed Inv 8-Pin SOIC N T/R


MC33151DR2中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 18.0V max

上升/下降时间 31ns, 32ns

输出接口数 2

供电电流 10.5 mA

耗散功率 560 mW

上升时间 31 ns

输出电流Max 1.5 A

下降时间 32 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 40 ℃

耗散功率Max 560 mW

电源电压 6.5V ~ 18V

电源电压Min 6.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MC33151DR2引脚图与封装图
MC33151DR2引脚图
MC33151DR2封装图
MC33151DR2封装焊盘图
在线购买MC33151DR2
型号: MC33151DR2
描述:高速双MOSFET驱动器 High Speed Dual MOSFET Drivers
替代型号MC33151DR2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MC33151DR2

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

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安森美

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MC33151DR2和MC33151DR2G的区别

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